PEALD等离子增强原子层沉积系统
一、设备概述：
PEALD等离子体增强原子层沉积系统是专门为特殊应用领域的科学研究与工业开发用户而设计的单片/多片沉积系统，系统电气完全符合CE标准；该系统扩展了普通原子层沉积系统对前驱体源的选择范围、提高薄膜沉积速率和降低沉积温度，广泛应用于对温度敏感材料和柔性衬底上薄膜的沉积。
二、技术指标：
样品台：标准4/6/8英寸，兼容以小尺寸，可定制
基片加热温度：室温～400℃
前驱体输运系统：标准2-6路液态前驱体管路，可选配
前驱体管路温度：室温～200℃
源瓶加热温度：室温～200℃
ALD阀 ：Swagelok快速高温ALD专用阀
本底真空：＜5*10-5Torr，高性能机械泵
载气系统 ：N2或者Ar
生长模式：高速沉积模式和停留生长模式
等离子体源：0-300W 感应耦合远程等离子体
等离子体放电气源：标准2-4路，可选配
控制系统 PLC+触摸屏
电源 50-60Hz, 380V/20A交流电源
沉积非均匀性：Al2O3非均匀性＜±1%
三、可沉积薄膜种类：
氧化物、氮化物、单质等；
四、ALD应用实例：
高K栅氧化层，存储容性电介质，铜互连中高深宽比扩散阻挡层，OLED无针孔钝化层，MEMS的高均匀镀膜，纳米多孔结构镀膜，特种光纤掺杂，太阳能电池，平板显示器，光学薄膜，其它各类特殊结构纳米薄膜